STMicroelectronics STGWT80H65DFB, Type N-Channel IGBT 650 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 6,19

(excl. BTW)

€ 7,49

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 29 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 6,19
5 - 9€ 5,88
10 - 24€ 5,29
25 - 49€ 4,76
50 +€ 4,52

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
829-7136
Fabrikantnummer:
STGWT80H65DFB
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

469W

Package Type

TO-3P

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

HB

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links