STMicroelectronics STGWT30H60DFB, Type N-Channel IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Bekijk alle IGBTs

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 4,56

(excl. BTW)

€ 5,52

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Bestellingen onder € 75,00 (excl. BTW) € 5,95.
Beperkte voorraad
  • 8 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 +€ 2,28€ 4,56

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
860-7325
Fabrikantnummer:
STGWT30H60DFB
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

60A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

260W

Package Type

TO-3P

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

HB

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links