Toshiba GT40QR21,F(O, Type N-Channel Discrete IGBT, 40 A 1200 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 4,82

(excl. BTW)

€ 5,83

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 3 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 4,82
5 +€ 4,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
891-2743
Fabrikantnummer:
GT40QR21,F(O
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Product Type

Discrete IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

230W

Package Type

TO-3P

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

2.5MHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.9V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

6.5th generation

Automotive Standard

No

Energy Rating

0.29mJ

Land van herkomst:
JP

IGBT Discretes, Toshiba


IGBT Discretes & Modules, Toshiba


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links