Toshiba GT40WR21,Q(O IGBT, 40 A 1800 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Bekijk alle IGBTs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal 5 eenheden (geleverd in een zak)*

€ 16,30

(excl. BTW)

€ 19,70

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks
Per stuk
5 - 24€ 3,26
25 - 49€ 2,88
50 - 99€ 2,50
100 +€ 2,17

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
891-2746P
Fabrikantnummer:
GT40WR21,Q(O
Fabrikant:
Toshiba
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Toshiba

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1800 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±25V

Maximum Power Dissipation

375 W

Package Type

TO-3P

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1.8MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.5 x 4.5 x 20mm

Gate Capacitance

4500pF

Maximum Operating Temperature

175 °C

Land van herkomst:
JP

IGBT Discretes, Toshiba


IGBT Discretes & Modules, Toshiba


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Gerelateerde Links