STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW8N120K5

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 200,88

(excl. BTW)

€ 243,06

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 570 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 +€ 6,696€ 200,88

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
151-922
Fabrikantnummer:
STW8N120K5
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-247

Series

MDmesh K5

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13.7nC

Maximum Power Dissipation Pd

130W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on resistance and ultra low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Industry’s lowest RDS(on) x area

Industry’s best FoM

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Zener protected

Gerelateerde Links