STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 6,70

(excl. BTW)

€ 8,11

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 594 stuk(s) vanaf 30 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 6,70

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
151-923
Fabrikantnummer:
STW8N120K5
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

MDmesh K5

Package Type

TO-247

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

130W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

13.7nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on resistance and ultra low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

Industry’s lowest RDS(on) x area

Industry’s best FoM

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Zener protected

Gerelateerde Links