STMicroelectronics MDmesh K5 Type N-Channel MOSFET, 21 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin H2PAK-2 STH13N120K5-2AG

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 8,93

(excl. BTW)

€ 10,81

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 990 stuk(s) vanaf 30 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 8,93
10 - 99€ 8,04
100 - 499€ 7,40
500 +€ 6,88

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
151-914
Fabrikantnummer:
STH13N120K5-2AG
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

MDmesh K5

Package Type

H2PAK-2

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.69Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

44.2nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.7mm

Length

15.8mm

Width

10.4 mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET is designed using MDmesh K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on resistance and ultra low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency.

AEC Q101 qualified

Industry’s lowest RDS(on) x area

Industry’s best FoM

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Zener protected

Gerelateerde Links