STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 2 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD2HNK60Z

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2500 eenheden)*

€ 567,50

(excl. BTW)

€ 687,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 20 april 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2500 +€ 0,227€ 567,50

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
151-934
Fabrikantnummer:
STD2HNK60Z
Fabrikant:
STMicroelectronics
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-252

Series

SuperMESH

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.8Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

2.4mm

Width

6.6 mm

Length

10.1mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The STMicroelectronics Power MOSFET developed using Super MESH technology, achieved through optimization of well established strip based Power MESH layout. In addition to a significant reduction in on resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

100% avalanche tested

Gate charge minimized

Very low intrinsic capacitance

Zener protected

Gerelateerde Links