ROHM RQ3N060AT Type P-Channel MOSFET, 18 A, 80 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RQ3N060ATTB1

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 10 eenheden)*

€ 6,87

(excl. BTW)

€ 8,31

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 100 stuk(s) vanaf 30 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
10 - 90€ 0,687€ 6,87
100 - 240€ 0,653€ 6,53
250 - 490€ 0,605€ 6,05
500 - 990€ 0,557€ 5,57
1000 +€ 0,536€ 5,36

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
331-689
Fabrikantnummer:
RQ3N060ATTB1
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

RQ3N060AT

Package Type

HSOP-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

20W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

50nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ROHM Power MOSFET is a low on resistance MOSFET ideal for switching and motor drives applications. This power MOSFET comes in a high power small mould package.

Pb free plating

RoHS compliant

Halogen free

100 percent Rg and UIS tested

Gerelateerde Links