Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET, 447 A, 60 V, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQDH88N06LM5CGSCATMA1

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
348-881
Fabrikantnummer:
IQDH88N06LM5CGSCATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

447 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

OptiMOS 5

Package Type

PG-WHTFN-9

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

9

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Land van herkomst:
MY
The Infineon MOSFET comes with a low RDS(on) of 0.86 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. The Centre-Gate footprint is optimized for parallelization.

Reduced voltage overshoot
Increased maximum current capability
Fast switching

Gerelateerde Links