Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET, 323 A, 80 V, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQD016N08NM5CGSCATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 2 eenheden)*

€ 10,80

(excl. BTW)

€ 13,06

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
2 - 18€ 5,40€ 10,80
20 - 198€ 4,86€ 9,72
200 - 998€ 4,485€ 8,97
1000 - 1998€ 4,16€ 8,32
2000 +€ 3,73€ 7,46

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
348-883
Fabrikantnummer:
IQD016N08NM5CGSCATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

323 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Series

OptiMOS 5

Package Type

PG-WHTFN-9

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

9

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Land van herkomst:
MY
The Infineon Power MOSFET comes with a low RDS(on) of 1,57 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. The Centre-Gate footprint is optimized for parallelization.

Minimized conduction losses
Fast switching
Reduced voltage overshoot

Gerelateerde Links