Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET, 445 A, 60 V, 9-Pin PG-WHTFN-9 IQD009N06NM5CGSCATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Niet beschikbaar
RS heeft dit product niet meer op voorraad.
RS-stocknr.:
348-880
Fabrikantnummer:
IQD009N06NM5CGSCATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

445 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

OptiMOS 5

Package Type

PG-WHTFN-9

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

9

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Land van herkomst:
MY
The Infineon Power MOSFET comes with a low RDS(on) of 0.9 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. The Centre-Gate footprint is optimized for parallelization.

Minimized conduction losses
Fast switching
Reduced voltage overshoot

Gerelateerde Links