Infineon IPD Type N-Channel MOSFET, 113.3 A, 600 V Enhancement, 22-Pin PG-HDSOP-22 IPDQ60T017S7XTMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 18,34

(excl. BTW)

€ 22,19

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 750 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 18,34
10 - 99€ 16,51
100 +€ 15,22

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
348-997
Fabrikantnummer:
IPDQ60T017S7XTMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

113.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PG-HDSOP-22

Series

IPD

Mount Type

Surface

Pin Count

22

Maximum Drain Source Resistance Rds

17mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

500W

Forward Voltage Vf

0.82V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

196nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS, JEDEC, JS-001

Land van herkomst:
MY
The Infineon CoolMOS S7T enables the best price performance for low frequency switching applications. The embedded temperature sensor increases junction temperature sensing accuracy and robustness while keeping an easy and seamless implementation. CoolMOS S7T is optimized for static switching and high current applications. The new temperature sensor enhances S7 features, allowing the best possible utilization of the power transistor.

Increased system performance

Increased system performance

More compact and more straightforward design

Lower BOM or TCO over a prolonged lifetime

More reliability and longer system lifetime

Gerelateerde Links