Infineon CoolSiC Type N-Channel MOSFET, 48 A, 2000 V Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-PLUS-NT14 IMYH200R050M1HXKSA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 42,45

(excl. BTW)

€ 51,36

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 209 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 42,45
10 - 99€ 38,20
100 +€ 35,23

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
349-111
Fabrikantnummer:
IMYH200R050M1HXKSA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

48A

Maximum Drain Source Voltage Vds

2000V

Package Type

PG-TO-247-4-PLUS-NT14

Series

CoolSiC

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

70mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

82nC

Maximum Power Dissipation Pd

348W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
MY
The Infineon CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET is a high performance silicon carbide MOSFET featuring .XT interconnection technology for enhanced thermal and electrical performance. With a benchmark gate threshold voltage (VGS(th)) of 4.5 V, it offers reliable and efficient switching, making it ideal for high voltage power applications. This MOSFET delivers superior performance, ensuring excellent efficiency and robust operation even in demanding environments.

Very low switching losses

Robust body diode for hard commutation

RoHS compliant

Halogen free

Gerelateerde Links