Infineon AIK 1 Type N-Channel MOSFET, 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 AIKBE50N65RF5ATMA1

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 8,68

(excl. BTW)

€ 10,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 8,68
10 - 99€ 7,80
100 - 499€ 7,20
500 - 999€ 6,67
1000 +€ 5,98

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
349-189
Fabrikantnummer:
AIKBE50N65RF5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PG-TO263-7

Series

AIK

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

108nC

Maximum Power Dissipation Pd

326W

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
MY
The Infineon CoolSiC Hybrid Discrete with TRENCHSTOP 5 Fast Switching IGBT and CoolSiC schottky diode G5 is designed for automotive. It has best in class efficiency in hard switching and resonant topologies.

650 V breakdown voltage

CoolSiCTM Schottky diode G5

Low gate charge QG

Kelvin emitter connection for optimized switching performance

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.