Infineon IMBG65 Type N-Channel MOSFET, 58 A, 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R033M2H

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 11,23

(excl. BTW)

€ 13,59

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 11,23
10 - 99€ 10,09
100 - 499€ 9,32
500 - 999€ 8,64
1000 +€ 7,75

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
351-961
Fabrikantnummer:
IMBG65R033M2H
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Output Power

227W

Package Type

PG-TO263-7

Series

IMBG65

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.5mm

Standards/Approvals

JEDEC

Width

9.45 mm

Length

10.2mm

Automotive Standard

No

The Infineon CoolSiC MOSFET G2 in a D2PAK-7 package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.

Enables BOM savings

Highest reliability

Enables top efficiency and power density

Ease of use

Full compatibility with existing vendors

Allows designs without fan or heatsink

Gerelateerde Links