Infineon IMBG65 Type N-Channel MOSFET, 58 A, 650 V Enhancement, 7-Pin PG-TO263-7 IMBG65R033M2H

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 10,67

(excl. BTW)

€ 12,91

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 10,67
10 - 99€ 9,60
100 - 499€ 8,87
500 - 999€ 8,22
1000 +€ 7,37

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
351-961
Fabrikantnummer:
IMBG65R033M2H
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

58A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Output Power

227W

Series

IMBG65

Package Type

PG-TO263-7

Mount Type

Surface

Pin Count

7

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

JEDEC

Height

4.5mm

Length

10.2mm

Automotive Standard

No

The Infineon CoolSiC MOSFET G2 in a D2PAK-7 package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.

Enables BOM savings

Highest reliability

Enables top efficiency and power density

Ease of use

Full compatibility with existing vendors

Allows designs without fan or heatsink

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.