Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET, 134 A, 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB068N20NM6ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 8,72

(excl. BTW)

€ 10,55

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 8,72
10 - 99€ 7,85
100 - 499€ 7,24
500 - 999€ 6,73
1000 +€ 6,02

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
349-400
Fabrikantnummer:
IPB068N20NM6ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

134A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

PG-TO263-3

Series

OptiMOS-TM6

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 200 V is an N-channel, normal level MOSFET designed for high efficiency power applications. It offers very low on resistance (RDS(on)), ensuring minimal conduction losses. With an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), it delivers superior switching performance. This MOSFET also features very low reverse recovery charge (Qrr), enhancing overall efficiency.

Pb free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

MSL 1 classified according to J-STD-020

Gerelateerde Links