Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 21 A, 650 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB65R115CFD7AATMA1

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 1000 eenheden)*

€ 2.437,00

(excl. BTW)

€ 2.949,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 31 maart 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
1000 +€ 2,437€ 2.437,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
273-2779
Fabrikantnummer:
IPB65R115CFD7AATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

PG-TO263-3

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.115Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

114W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon MOSFET is a 650V CoolMOS CFD7A power device, It is a Infineon latest generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS MOSFETs. In addition to the well known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the new CoolMOS CFD7A series provides for an integrated fast body diode and can be used for PFC and resonant switching topologies like the ZVS phase shift full bridge and LLC.

Lower switching losses

High quality and reliability

100 percent avalanche tested

Optimized for higher battery voltages

Gerelateerde Links