Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET, 39 A, 200 V Enhancement, 3-Pin PG-TO263-3 IPB339N20NM6ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 17,75

(excl. BTW)

€ 21,50

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 1.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 3,55€ 17,75
50 - 95€ 3,372€ 16,86
100 +€ 3,126€ 15,63

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
349-401
Fabrikantnummer:
IPB339N20NM6ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

39A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

OptiMOS-TM6

Package Type

PG-TO263-3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

33.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

15.9nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 200 V is an N-channel, normal level MOSFET designed for high efficiency power applications. It offers very low on resistance (RDS(on)), ensuring minimal conduction losses. With an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), it delivers superior switching performance. This MOSFET also features very low reverse recovery charge (Qrr), enhancing overall efficiency.

Pb free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

MSL 1 classified according to J-STD-020

Gerelateerde Links