Microchip N-Channel Vertical DMOS FET-Channel Single MOSFETs, 350 mA, 90 V Enhancement Mode, 3-Pin TO-92-3 (TO-226AA)

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 2000 eenheden)*

€ 1.998,00

(excl. BTW)

€ 2.418,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 23 februari 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
2000 +€ 0,999€ 1.998,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
598-308
Fabrikantnummer:
VN2450N8-G
Fabrikant:
Microchip
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Microchip

Channel Type

N-Channel Vertical DMOS FET

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

350mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

90V

Package Type

TO-92-3 (TO-226AA)

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1W

Forward Voltage Vf

1.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.19 mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Length

5.08mm

Height

5.33mm

Automotive Standard

No

The Microchip N channel enhancement-mode vertical transistor utilizes a vertical double-diffused metal oxide semiconductor (DMOS) structure along with a well-proven silicon gate manufacturing process. This combination ensures the device is free from secondary breakdown and operates with a low power drive requirement, making it efficient and reliable for various applications.

Ease of paralleling

Low power drive requirement

High input impedance and high gain

Gerelateerde Links