Fabrikantnummer

Vishay SI8818EDB N-Channel Single MOSFETs, 2.2 A, 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK

RS-stocknr.:: 653-091
Fabrikantnummer:: SI8818EDB-T2-E1
Fabrikant:: Vishay

Vishay SI8818EDB N-Channel Single MOSFETs, 2.2 A, 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 0,24

(excl. BTW)

€ 0,29

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Op voorraad

5.970 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Rol(len)	Per rol
1 - 24	€ 0,24
25 - 99	€ 0,20
100 - 499	€ 0,19
500 - 999	€ 0,16
1000 +	€ 0,14

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 653-091
Fabrikantnummer:: SI8818EDB-T2-E1
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Product Type	Single MOSFETs
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PowerPAK
	Series	SI8818EDB
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.143Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2.4nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	0.9W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	0.8mm
	Standards/Approvals	No
	Length	0.8mm
	Height	0.39mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Product Type Single MOSFETs
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PowerPAK
	Series SI8818EDB
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.143Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.4nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 0.9W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 0.8mm
	Standards/Approvals No
	Length 0.8mm
	Height 0.39mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SI8818EDB-T2-E1

Land van herkomst:: CN

The Vishay N-channel MOSFET designed for ultra-compact, high-efficiency switching in space-constrained systems. It supports up to 30 V drain-source voltage. Packaged in MICRO FOOT 0.8 mm x 0.8 mm, it utilizes TrenchFET technology to deliver low RDS(on), fast switching, and excellent thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.