Vishay SI8818EDB Type N-Channel Single MOSFETs, 2.2 A, 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 0,24

(excl. BTW)

€ 0,29

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 5.970 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Rol(len)
Per rol
1 - 24€ 0,24
25 - 99€ 0,20
100 - 499€ 0,19
500 - 999€ 0,16
1000 +€ 0,14

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
653-091
Fabrikantnummer:
SI8818EDB-T2-E1
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

2.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SI8818EDB

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.143Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

0.9W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.39mm

Standards/Approvals

No

Length

0.8mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for ultra-compact, high-efficiency switching in space-constrained systems. It supports up to 30 V drain-source voltage. Packaged in MICRO FOOT 0.8 mm x 0.8 mm, it utilizes TrenchFET technology to deliver low RDS(on), fast switching, and excellent thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links