Vishay SI8818EDB N-Channel Single MOSFETs, 2.2 A, 30 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SI8818EDB-T2-E1

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 390,00

(excl. BTW)

€ 480,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 3.000 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,13€ 390,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
653-090
Fabrikantnummer:
SI8818EDB-T2-E1
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SI8818EDB

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.143Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.4nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

0.9W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

0.8mm

Standards/Approvals

No

Length

0.8mm

Height

0.39mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for ultra-compact, high-efficiency switching in space-constrained systems. It supports up to 30 V drain-source voltage. Packaged in MICRO FOOT 0.8 mm x 0.8 mm, it utilizes TrenchFET technology to deliver low RDS(on), fast switching, and excellent thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.