Fabrikantnummer

Vishay SIJ4406DP Type N-Channel Single MOSFETs, 78 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK

RS-stocknr.:: 653-106
Fabrikantnummer:: SIJ4406DP-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SIJ4406DP Type N-Channel Single MOSFETs, 78 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 0,94

(excl. BTW)

€ 1,14

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Op voorraad

6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Rol(len)	Per rol
1 - 24	€ 0,94
25 - 99	€ 0,89
100 - 499	€ 0,86
500 - 999	€ 0,74
1000 +	€ 0,72

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 653-106
Fabrikantnummer:: SIJ4406DP-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Product Type	Single MOSFETs
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	78A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	SIJ4406DP
	Package Type	PowerPAK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.00475Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10.9nC
	Maximum Power Dissipation Pd	41.6W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.14mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.25mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Product Type Single MOSFETs
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 78A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series SIJ4406DP
	Package Type PowerPAK
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00475Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.9nC
	Maximum Power Dissipation Pd 41.6W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.14mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.25mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIJ4406DP-T1-GE3

Land van herkomst:: CN

The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 40 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SO-8L, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver very low gate charge (Qg), reduced output charge (Qoss), and excellent switching efficiency.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.