Fabrikantnummer

Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs, 18 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

RS-stocknr.:: 653-113
Fabrikantnummer:: SIS5712DN-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SIS5712DN Type N-Channel Single MOSFETs, 18 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 1,19

(excl. BTW)

€ 1,44

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Rol(len)	Per rol
1 - 24	€ 1,19
25 - 99	€ 1,15
100 - 499	€ 1,14
500 - 999	€ 0,97
1000 +	€ 0,91

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 653-113
Fabrikantnummer:: SIS5712DN-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id	18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Series	SIS5712DN
	Package Type	PowerPAK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0555Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	39.1W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.8nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.04mm
	Standards/Approvals	Lead (Pb)-Free
	Length	3.30mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id 18A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Series SIS5712DN
	Package Type PowerPAK
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0555Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 39.1W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.8nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.04mm
	Standards/Approvals Lead (Pb)-Free
	Length 3.30mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIS5712DN-T1-GE3

Land van herkomst:: CN

The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in power-dense systems. It supports up to 150 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK 1212-8, it utilizes TrenchFET Gen V technology to deliver low RDS(on), reduced gate charge, and excellent thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.