Vishay SIRS5702DP Type N-Channel Single MOSFETs, 119 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 3,19

(excl. BTW)

€ 3,86

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Rol(len)
Per rol
1 - 9€ 3,19
10 - 24€ 3,11
25 - 99€ 3,04
100 - 499€ 2,59
500 +€ 2,44

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
653-131
Fabrikantnummer:
SIRS5702DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

119A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

PowerPAK

Series

SIRS5702DP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0072Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

44nC

Maximum Power Dissipation Pd

245W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.10mm

Height

0.95mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in power-dense systems. It supports up to 150 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SO-8S, it utilizes TrenchFET Gen V technology to deliver ultra-low RDS(on), reduced gate charge, and excellent thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links