Vishay SIRS5702DP Type N-Channel Single MOSFETs, 119 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 3,05

(excl. BTW)

€ 3,69

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 6.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Rol(len)
Per rol
1 - 9€ 3,05
10 - 24€ 2,96
25 - 99€ 2,90
100 - 499€ 2,47
500 +€ 2,33

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
653-131
Fabrikantnummer:
SIRS5702DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

119A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

PowerPAK

Series

SIRS5702DP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0072Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

44nC

Maximum Power Dissipation Pd

245W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.95mm

Standards/Approvals

No

Width

5.10 mm

Length

6.10mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in power-dense systems. It supports up to 150 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SO-8S, it utilizes TrenchFET Gen V technology to deliver ultra-low RDS(on), reduced gate charge, and excellent thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links