Fabrikantnummer

Vishay SIS4406DN Type N-Channel Single MOSFETs, 62.8 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

RS-stocknr.:: 653-147
Fabrikantnummer:: SIS4406DN-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SIS4406DN Type N-Channel Single MOSFETs, 62.8 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 0,78

(excl. BTW)

€ 0,94

(incl. BTW)

Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw

Rol(len)	Per rol
1 - 24	€ 0,78
25 - 99	€ 0,77
100 - 499	€ 0,74
500 - 999	€ 0,64
1000 +	€ 0,60

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 653-147
Fabrikantnummer:: SIS4406DN-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id	62.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	PowerPAK
	Series	SIS4406DN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.00475Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	33.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23.7nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.41mm
	Length	3.30mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id 62.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type PowerPAK
	Series SIS4406DN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00475Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 33.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23.7nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.41mm
	Length 3.30mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SIS4406DN-T1-GE3

Land van herkomst:: CN

The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 40 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK 1212-8, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver low gate charge (Qg), reduced output charge (Qoss), and optimized switching performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.