Vishay SiS N channel-Channel MOSFET, 64 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSD5806DN

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 1,55

(excl. BTW)

€ 1,88

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 28 december 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 1,55

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-136
Fabrikantnummer:
SiSD5806DN
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

64A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiS

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0069Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

80V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

4mm

Width

4mm

Height

1mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
DE
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 80V drain-source voltage, specifically engineered for low-loss operation in AI power server solutions and high-efficiency DC/DC converters.

64A continuous drain current at TC=25°C

57W maximum power dissipation

33nC maximum total gate charge

Gerelateerde Links