Vishay SiS N channel-Channel MOSFET, 55 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSD5110DN

Afbeelding representeert productcategorie

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 1,92

(excl. BTW)

€ 2,32

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 28 december 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 1,92

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-132
Fabrikantnummer:
SiSD5110DN
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SiS

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0095Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.3nC

Forward Voltage Vf

100V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

4mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

4mm

Height

1mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
DE
The Vishay N-Channel TrenchFET Gen V power MOSFET optimized for low-loss switching in AI power server solutions and high-density power supplies. It achieves a 100V drain-source rating with exceptionally low on-resistance of 9.5 mΩ maximum at 10V gate drive to minimize conduction losses.

55A continuous drain current at TC=25°C

57W maximum power dissipation

Low total gate charge of 29nC maximum

Gerelateerde Links