Fabrikantnummer

Vishay SiS N channel-Channel MOSFET, 55 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSD5110DN

RS-stocknr.:: 735-132
Fabrikantnummer:: SiSD5110DN
Fabrikant:: Vishay

Vishay SiS N channel-Channel MOSFET, 55 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSD5110DN

Afbeelding representeert productcategorie

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 2,27

(excl. BTW)

€ 2,75

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 28 januari 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk
1 +	€ 2,27

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 735-132
Fabrikantnummer:: SiSD5110DN
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N channel
	Maximum Continuous Drain Current Id	55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	SiS
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0095Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	100V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19.3nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	57W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	4mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	1mm
	Length	4mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N channel
	Maximum Continuous Drain Current Id 55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series SiS
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0095Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 100V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.3nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 57W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 4mm
	Standards/Approvals RoHS
	Height 1mm
	Length 4mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SiSD5110DN

Land van herkomst:: DE

The Vishay N-Channel TrenchFET Gen V power MOSFET optimized for low-loss switching in AI power server solutions and high-density power supplies. It achieves a 100V drain-source rating with exceptionally low on-resistance of 9.5 mΩ maximum at 10V gate drive to minimize conduction losses.

55A continuous drain current at TC=25°C

57W maximum power dissipation

Low total gate charge of 29nC maximum

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.