Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 59 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS516DN-T1-UE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 1,48

(excl. BTW)

€ 1,79

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Informatie over voorraden is momenteel niet toegankelijk - Controleer het later nog eens opnieuw
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 1,48

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-241
Fabrikantnummer:
SISS516DN-T1-UE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

59A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.011Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18.3nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

3.3mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
DE
The Vishay N channel MOSFET is designed for efficient power switching in a wide range of electronic applications. it delivers reliable performance with thorough gate resistance and unclamped inductive switching testing, ensuring robust operation under demanding conditions. the device supports environmentally responsible designs with RoHS compliant and halogen free construction, making it suitable for modern power management systems.

Supports high reliability operation in demanding environments

Suitable for synchronous rectification applications

Ideal for use as a primary side switch in power converters

Meets RoHS compliant and halogen free requirements

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.