Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 55 A, 80 V Enhancement, 10-Pin PowerPack SQJ186ELR-T1_GE3

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 1,14

(excl. BTW)

€ 1,38

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 3.000 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 1,14

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
735-276
Fabrikantnummer:
SQJ186ELR-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

55A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

PowerPack

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

10

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0296Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

90W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Length

7.5mm

Width

5.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
CN

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.