Vishay SQ3583CEV N channel, P-Channel MOSFET, 4.7 A, 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP-6 SQ3583CEV-T1_GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 rol van 1 eenheid)*

€ 0,44

(excl. BTW)

€ 0,53

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 21 december 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Rol(len)
Per rol
1 - 24€ 0,44
25 - 99€ 0,30
100 +€ 0,16

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
736-343
Fabrikantnummer:
SQ3583CEV-T1_GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel, P-Channel

Maximum Continuous Drain Current Id

4.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

TSOP-6

Series

SQ3583CEV

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.077Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.67W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

Land van herkomst:
DE
The Vishay Dual MOSFET designed for high-reliability applications. This component utilizes TrenchFET technology to provide efficient power management in a Compact TSOP-6 package.

Qualified for automotive use according to AEC-Q101 standards

Undergoes 100 % Rg and UIS testing to ensure robust performance

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.