Infineon OptiMOS N-Channel Power MOSFET, 510 A, 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH61N06NM5ATMA1

Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
762-983
Fabrikantnummer:
IQFH61N06NM5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

510A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PG-TSON-12

Series

OptiMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

12

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.61mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

190nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.1mm

Length

8mm

Standards/Approvals

RoHS

Width

6mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
MY
The Infineon OptiMOS 5Power-Transistor,60V optimized for low voltage drives, battery powered and synchronous rectification application. Fully qualified according to JEDEC for industrial applications.

100% avalanche tested

Superior thermal resistance

N-channel

Pb-free lead plating, RoHS compliant

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.