Infineon OptiMOS N channel-Channel Power MOSFET, 510 A, 60 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH61N06NM5ATMA1

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 5,59

(excl. BTW)

€ 6,76

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 3.000 stuk(s) vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 5,59
10 - 49€ 4,52
50 - 99€ 3,47
100 +€ 2,77

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
762-983
Fabrikantnummer:
IQFH61N06NM5ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

N channel

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

510A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

OptiMOS

Package Type

PG-TSON-12

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

12

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.61mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

190nC

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

8mm

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
MY
The Infineon OptiMOS 5Power-Transistor,60V optimized for low voltage drives, battery powered and synchronous rectification application. Fully qualified according to JEDEC for industrial applications.

100% avalanche tested

Superior thermal resistance

N-channel

Pb-free lead plating, RoHS compliant

Gerelateerde Links