Infineon OptiMOS-TM6 Type N-Channel MOSFET, 656 A, 40 V Enhancement, 12-Pin PG-TSON-12 IQFH36N04NM6ATMA1

Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
348-840
Fabrikantnummer:
IQFH36N04NM6ATMA1
Fabrikant:
Infineon
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

656A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

OptiMOS-TM6

Package Type

PG-TSON-12

Mount Type

Surface

Pin Count

12

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.36mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

300W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
AT
The Infineon 40 V normal level power MOSFET comes in our latest innovative, compact clip based PQFN 8x6 mm2 package enabling very high currents and power levels. The part offers current industry-best RDS(on) of 0.36 mΩ combined with outstanding thermal performance.

Minimized conduction losses

Fast switching

Reduced voltage overshoot

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.