Fabrikantnummer

Microchip Power MOS 7 N channel-Channel MOSFET, 41 A, 500 V, 4-Pin SOT APT5010JLLU2

RS-stocknr.:: 813-813
Fabrikantnummer:: APT5010JLLU2
Fabrikant:: Microchip

Microchip Power MOS 7 N channel-Channel MOSFET, 41 A, 500 V, 4-Pin SOT APT5010JLLU2

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 24,46

(excl. BTW)

€ 29,60

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 14 januari 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk
1 +	€ 24,46

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 813-813
Fabrikantnummer:: APT5010JLLU2
Fabrikant:: Microchip

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Microchip
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N channel
	Maximum Continuous Drain Current Id	41A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	500V
	Series	Power MOS 7
	Package Type	SOT
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	100mΩ
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	378W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	38.02mm
	Width	11.2mm
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Microchip
	Product Type MOSFET
	Channel Type N channel
	Maximum Continuous Drain Current Id 41A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 500V
	Series Power MOS 7
	Package Type SOT
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 378W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 38.02mm
	Width 11.2mm
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Automotive Standard No

Datasheet - APT5010JLLU2

Land van herkomst:: PH

The Microchip High performance MOSFET device designed for efficient operation in demanding applications. This component excels in both AC and DC motor control, providing robust energy management solutions.

500V Drain-Source breakdown voltage enhances reliability in various applications

Low ON resistance of 100 mΩ minimizes energy loss and optimises performance

Designed with low gate charge for improved switching efficiency

Built with a rugged package that supports direct mounting to heatsinks

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.