Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs, 6 A, 30 V Enhancement Mode, 8-Pin TSOP-6 SI7804BDN-T1-GE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 0,92

(excl. BTW)

€ 1,11

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 12 augustus 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 9€ 0,92
10 - 99€ 0,64
100 - 499€ 0,41
500 - 999€ 0,25
1000 +€ 0,18

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
829-361
Fabrikantnummer:
SI7804BDN-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SI

Package Type

TSOP-6

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0192Ω

Channel Mode

Enhancement Mode

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Maximum Power Dissipation Pd

19.9W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

3.30mm

Length

3.30mm

Height

1.07mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
DE
The Vishay high-performance N-Channel MOSFET designed for efficient DC/DC conversion and system power applications, ensuring reliable operation within specified voltage limits.

TrenchFET Gen III technology enhances efficiency and performance

Guaranteed 100% R testing ensures high reliability

Material categorised for compliance, supporting environmental regulations

Maximum continuous drain current of 6A boosts versatility

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.