Fabrikantnummer

Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs, 3.4 A, 30 V Enhancement Mode, 6-Pin P SIA432BDJ-T1-GE3

RS-stocknr.:: 829-363
Fabrikantnummer:: SIA432BDJ-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Vishay SI N channel-Channel Single MOSFETs, 3.4 A, 30 V Enhancement Mode, 6-Pin P SIA432BDJ-T1-GE3

Bulkkorting beschikbaar

Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 0,78

(excl. BTW)

€ 0,94

(incl. BTW)

GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00

Tijdelijk niet op voorraad

Verzending vanaf 12 augustus 2027

Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks	Per stuk
1 - 9	€ 0,78
10 - 99	€ 0,54
100 - 499	€ 0,34
500 - 999	€ 0,22
1000 +	€ 0,16

*prijsindicatie

RS-stocknr.:: 829-363
Fabrikantnummer:: SIA432BDJ-T1-GE3
Fabrikant:: Vishay

Specificaties

Datasheets

Wetgeving en compliance

Productomschrijving

Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.

Alles selecteren	Attribuut	Waarde
	Merk	Vishay
	Channel Type	N channel
	Product Type	Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	P
	Series	SI
	Mount Type	Surface Mount
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0192Ω
	Channel Mode	Enhancement Mode
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	15.6W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Width	2.05mm
	Length	2.05mm
	Height	0.75mm
	Automotive Standard	No

	Alles selecteren
	Merk Vishay
	Channel Type N channel
	Product Type Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type P
	Series SI
	Mount Type Surface Mount
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0192Ω
	Channel Mode Enhancement Mode
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 15.6W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Width 2.05mm
	Length 2.05mm
	Height 0.75mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIA432BDJ-T1-GE3

Land van herkomst:: DE

The Vishay high-performance N-Channel MOSFET designed for efficient power management in various applications. Its robust construction enables reliable function under demanding conditions.

30 V drain-source voltage facilitates versatile application range

Max on-state resistance of 0.0192 Ohm at 10 V enhances power efficiency

Configured as a single device, optimising space and performance

Designed with TrenchFET technology for superior switching capabilities

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.