Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRA90DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 7,01

(excl. BTW)

€ 8,48

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 6.000 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 +€ 1,402€ 7,01

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
134-9698
Fabrikantnummer:
SIRA90DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

102nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.25mm

Width

5.26 mm

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links