Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 126 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR510DP-T1-RE3

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 14,34

(excl. BTW)

€ 17,35

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 2.260 stuk(s) vanaf 11 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,868€ 14,34
50 - 120€ 2,578€ 12,89
125 - 245€ 2,294€ 11,47
250 - 495€ 2,092€ 10,46
500 +€ 1,808€ 9,04

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2904
Fabrikantnummer:
SiR510DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

126A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 100 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links