Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 126 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR510DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 12,42

(excl. BTW)

€ 15,03

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 5.260 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 2,484€ 12,42
50 - 120€ 2,234€ 11,17
125 - 245€ 1,988€ 9,94
250 - 495€ 1,814€ 9,07
500 +€ 1,564€ 7,82

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2904
Fabrikantnummer:
SiR510DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

126A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

54nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 100 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links