Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 113 A, 45 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR450DP-T1-RE3

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 5 eenheden)*

€ 8,59

(excl. BTW)

€ 10,395

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Laatste voorraad RS
  • Laatste 5.880 stuk(s), klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
5 - 45€ 1,718€ 8,59
50 - 245€ 1,616€ 8,08
250 - 495€ 1,46€ 7,30
500 - 1245€ 1,376€ 6,88
1250 +€ 1,288€ 6,44

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
228-2899
Fabrikantnummer:
SiR450DP-T1-RE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

113A

Maximum Drain Source Voltage Vds

45V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

75.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

48W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 45 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

Gerelateerde Links