ROHM BSM 2 Type N-Channel SiC Power Module, 300 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin BSM300D12P2E001

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 946,15

(excl. BTW)

€ 1.144,84

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • 2 stuk(s) klaar voor verzending vanaf een andere locatie
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 +€ 946,15

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
144-2260
Fabrikantnummer:
BSM300D12P2E001
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Product Type

SiC Power Module

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

300A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

BSM

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1875W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

17mm

Length

152mm

Width

57.95 mm

Number of Elements per Chip

2

Land van herkomst:
JP

SiC Power Modules, ROHM


The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

Half-Bridge configuration

Low Surge Current

Low Power Switching Losses

High-Speed Switching

Low Operating Temperature

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor


Note

BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.

Gerelateerde Links