ROHM BSM 2 Type N-Channel SiC Power Module Enhancement, 4-Pin BSM180D12P3C007

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 652,50

(excl. BTW)

€ 789,52

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 02 juni 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 652,50
2 - 4€ 635,33
5 - 9€ 619,04
10 +€ 603,56

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
144-2259
Fabrikantnummer:
BSM180D12P3C007
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Product Type

SiC Power Module

Channel Type

Type N

Series

BSM

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

17mm

Length

122mm

Width

45.6 mm

Number of Elements per Chip

2

Land van herkomst:
JP

SiC Power Modules, ROHM


The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

Half-Bridge configuration

Low Surge Current

Low Power Switching Losses

High-Speed Switching

Low Operating Temperature

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor


Note

BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.

Gerelateerde Links