ROHM BSM 2 Type N-Channel SiC Power Module Enhancement, 4-Pin BSM180D12P3C007

Bulkkorting beschikbaar
Bekijk bulkkorting

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 652,50

(excl. BTW)

€ 789,52

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 19 januari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.

Aantal stuks
Per stuk
1 - 1€ 652,50
2 - 4€ 635,33
5 - 9€ 619,04
10 +€ 603,56

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
144-2259
Fabrikantnummer:
BSM180D12P3C007
Fabrikant:
ROHM
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

SiC Power Module

Series

BSM

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

45.6mm

Length

122mm

Height

17mm

Number of Elements per Chip

2

Land van herkomst:
JP

SiC Power Modules, ROHM


The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.

Half-Bridge configuration

Low Surge Current

Low Power Switching Losses

High-Speed Switching

Low Operating Temperature

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor


Note

BSM180D12P2C101 SiC Power Module does not include Schottky Barrier Diodes.

Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.