IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH80N65X2

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 295,29

(excl. BTW)

€ 357,30

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 04 januari 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 +€ 9,843€ 295,29

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
146-4236
Fabrikantnummer:
IXFH80N65X2
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

HiperFET

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

38mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

140nC

Maximum Power Dissipation Pd

890W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.4V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

16.13mm

Width

5.21 mm

Height

21.34mm

Distrelec Product Id

304-30-535

Automotive Standard

No

Low RDS(ON) and Qg

Fast body diode

dv/dt ruggedness

Avalanche rated

Low package inductance

International standard packages

Resonant mode power supplies

High intensity discharge (HID) lamp ballast

AC and DC motor drives

DC-DC converters

Robotic and servo control

Battery chargers

3-level solar inverters

LED lighting

Unmanned Aerial Vehicles (UAVs)

Higher efficiency

High power density

Easy to mount

Space savings

Gerelateerde Links