IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 145 A, 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 eenheid)*

€ 49,94

(excl. BTW)

€ 60,43

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 13 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
1 - 4€ 49,94
5 +€ 44,69

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
146-4398
Artikelnummer Distrelec:
302-53-364
Fabrikantnummer:
IXFN150N65X2
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

145A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

HiperFET

Package Type

SOT-227

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

17mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.4V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.04kW

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

335nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

38.23mm

Height

9.6mm

Width

25.07 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

30253364

Low RDS(ON) and Qg

Fast body diode

dv/dt ruggedness

Avalanche rated

Low package inductance

International standard packages

Resonant mode power supplies

High intensity discharge (HID) lamp ballast

AC and DC motor drives

DC-DC converters

Robotic and servo control

Battery chargers

3-level solar inverters

LED lighting

Unmanned Aerial Vehicles (UAVs)

Higher efficiency

High power density

Easy to mount

Space savings

Gerelateerde Links