IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH60N65X2

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 tube van 30 eenheden)*

€ 238,92

(excl. BTW)

€ 289,08

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Op voorraad
  • Plus verzending 270 stuk(s) vanaf 29 december 2025
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per tube*
30 - 120€ 7,964€ 238,92
150 - 270€ 7,335€ 220,05
300 +€ 7,151€ 214,53

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
146-4234
Fabrikantnummer:
IXFH60N65X2
Fabrikant:
IXYS
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

HiperFET

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.4V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

108nC

Maximum Power Dissipation Pd

780W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

21.34mm

Length

16.13mm

Standards/Approvals

No

Width

5.21 mm

Automotive Standard

No

Low R and Q

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Applications

Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

Gerelateerde Links