Nexperia Type N-Channel MOSFET, 2.8 A, 80 V Enhancement, 8-Pin DFN

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 456,00

(excl. BTW)

€ 552,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 20 juli 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 0,152€ 456,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
151-3071
Fabrikantnummer:
PMPB215ENEAX
Fabrikant:
Nexperia
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

445mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.8nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

15.6W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

2.1 mm

Height

0.65mm

Length

2.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

80 V, single N-channel Trench MOSFET, N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Trench MOSFET technology

Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm

Exposed drain pad for excellent thermal conduction

Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection

AEC-Q101 qualified

Gerelateerde Links