Nexperia N-Channel MOSFET, 3.9 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV50ENEAR
- RS-stocknr.:
- 152-7154
- Fabrikantnummer:
- PMV50ENEAR
- Fabrikant:
- Nexperia
Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*
€ 363,00
(excl. BTW)
€ 438,00
(incl. BTW)
GRATIS bezorging voor bestellingen van meer dan € 90,00
Tijdelijk niet op voorraad
- Verzending vanaf 07 oktober 2027
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks | Per stuk | Per rol* |
|---|---|---|
| 3000 + | € 0,121 | € 363,00 |
*prijsindicatie
Alternatief
Dit product is momenteel niet beschikbaar. Hierbij onze aanbeveling voor een alternatief product.
Elk (op een haspel van 3000)
€ 429,00
(excl. BTW)
€ 519,09
(incl. BTW)
- RS-stocknr.:
- 152-7154
- Fabrikantnummer:
- PMV50ENEAR
- Fabrikant:
- Nexperia
Specificaties
Datasheets
Wetgeving en compliance
Productomschrijving
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren | Attribuut | Waarde |
|---|---|---|
| Merk | Nexperia | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 69mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.9W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.4mm | |
| Length | 3mm | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Alles selecteren | ||
|---|---|---|
Merk Nexperia | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 69mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.9W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.4mm | ||
Length 3mm | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
30V, N-channel Trench MOSFET, N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Logic level compatible
Very fast switching
Trench MOSFET technology
ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM
AEC-Q101 qualified
Relay driver
High-speed line driver
Low-side loadswitch
Switching circuits
Gerelateerde Links
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV50ENEAR
- Nexperia Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement215
- DiodesZetex ZXMN3A14F Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex ZXMN3A14F Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 ZXMN3A14FTA
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23