Nexperia Type P-Channel MOSFET, -2.9 A, -20 V Enhancement, 4-Pin DFN PMXB75UPEZ

Bekijk alle MOSFETs
Bulkkorting beschikbaar

Subtotaal (1 verpakking van 50 eenheden)*

€ 11,20

(excl. BTW)

€ 13,55

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending 5.000 stuk(s) vanaf 12 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per verpakking*
50 - 200€ 0,224€ 11,20
250 - 1200€ 0,101€ 5,05
1250 - 2450€ 0,08€ 4,00
2500 - 3700€ 0,078€ 3,90
3750 +€ 0,076€ 3,80

*prijsindicatie

Verpakkingsopties
RS-stocknr.:
153-1936
Fabrikantnummer:
PMXB75UPEZ
Fabrikant:
Nexperia
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Nexperia

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-2.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-20V

Package Type

DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

950mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.8nC

Maximum Power Dissipation Pd

8.33W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

1.15mm

Standards/Approvals

No

Width

1.05 mm

Height

0.36mm

Automotive Standard

No

20 V, P-channel Trench MOSFET, P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Trench MOSFET technology

Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm

Exposed drain pad for excellent thermal conduction

ElectroStatic Discharge (ESD) protection 1.5 kV HBM

Drain-source on-state resistance RDSon = 69 mΩ

Very low gate-source threshold voltage for portable applications VGS(th) = -0.68 V

High-side load switch and charging switch for portable devices

Power management in battery driven portables

LED driver

DC-to-DC converter

Gerelateerde Links