Vishay SiHF634S N-Channel MOSFET, 8.1 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF634S-GE3

Momenteel niet beschikbaar
Sorry, we weten niet wanneer dit weer voorradig zal zijn.
RS-stocknr.:
165-6088
Fabrikantnummer:
SIHF634S-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

8.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Package Type

TO-263

Series

SiHF634S

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

450mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Maximum Power Dissipation Pd

74W

Forward Voltage Vf

2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

9.65mm

Standards/Approvals

No

Height

4.83mm

Length

10.67mm

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links

Wees als eerste op de hoogte van onze nieuwste producten en aanbiedingen

E-mailadres

De persoonlijke gegevens die u aan ons verstrekt bij het aanmelden voor deze mailinglijst worden verwerkt in overeenstemming met ons privacybeleid.