Vishay SiHB125N60EF Type N-Channel MOSFET, 25 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Bekijk alle MOSFETs

Subtotaal (1 rol van 3000 eenheden)*

€ 5.748,00

(excl. BTW)

€ 6.954,00

(incl. BTW)

Add to Basket
selecteer of typ hoeveelheid
Tijdelijk niet op voorraad
  • Verzending vanaf 15 mei 2026
Heeft u meer nodig? Klik op 'Controleer leverdata' voor extra voorraad en levertijden.
Aantal stuks
Per stuk
Per rol*
3000 +€ 1,916€ 5.748,00

*prijsindicatie

RS-stocknr.:
204-7245
Fabrikantnummer:
SIHB125N60EF-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SiHB125N60EF

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

125mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

31nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.06mm

Standards/Approvals

No

Length

14.61mm

Width

9.65 mm

Automotive Standard

No

The Vishay EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode has a 4th generation E series technology. It has reduced switching and conduction losses.

Avalanche energy rated (UIS)

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Gerelateerde Links