Vishay Si2367DS Type P-Channel Power MOSFET, 3.8 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Momenteel niet beschikbaar
We weten niet of dit item nog op voorraad komt, RS is van plan dit binnenkort uit ons assortiment te halen.
RS-stocknr.:
165-6933
Fabrikantnummer:
SI2367DS-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay
Zoek vergelijkbare producten door een of meer kenmerken te selecteren.
Alles selecteren

Merk

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-23

Series

Si2367DS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.066Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.7W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.02mm

Width

1.4 mm

Length

3.04mm

Standards/Approvals

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Automotive Standard

No

Land van herkomst:
CN

P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Gerelateerde Links